品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65UPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65UPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: