品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT200EPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT200EPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT200EPEX
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功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMT200EPEX
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功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMT200EPEX
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功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMT200EPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.9nC@10V
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输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
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阈值电压:3V@250µA
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输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
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类型:P沟道
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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类型:P沟道
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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类型:P沟道
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功率:800mW
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连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
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输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
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