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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV75UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV75UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
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输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
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输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
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输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
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栅极电荷：11nC@4.5V
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输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
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栅极电荷：11nC@4.5V
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输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV75UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV75UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
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功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：NEXPERIA
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV75UP，215
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功率：490mW€5W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.5A
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导通电阻：102mΩ@2.5A，4.5V
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