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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
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功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
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输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
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功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
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功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
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功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
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功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
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输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
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功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
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输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.25V@250µA
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连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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ECCN：EAR99
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输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
功率：515mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：804pF@10V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB58UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：804pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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