品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):PMPB55ENEAX
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功率:1.65W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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功率:1.65W
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功率:1.65W
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连续漏极电流:4A
类型:N沟道
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功率:1.65W
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输入电容:435pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@10A,10V
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类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@10A,10V
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