品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
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导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
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导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
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栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
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导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
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漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
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导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
栅极电荷:6.8nC@10V
功率:580mW
输入电容:190pF@50V
漏源电压:100V
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连续漏极电流:1.1A
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类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
栅极电荷:6.8nC@10V
功率:580mW
输入电容:190pF@50V
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
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输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
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导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
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