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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMV37EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV37EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV37EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
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功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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