品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:302mW
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连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
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功率:302mW
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ECCN:EAR99
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功率:302mW
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类型:N沟道
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功率:302mW
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销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
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工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
类型:N沟道
漏源电压:55V
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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包装方式:卷带(TR)
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