品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:560mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:560mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):BSS192,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:560mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:2.8V@1mA
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类型:P沟道
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输入电容:90pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
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类型:P沟道
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连续漏极电流:200mA
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功率:560mW€12.5W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
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