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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
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功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：0.6nC@10V
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输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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栅极电荷：0.92nC@10V
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：0.6nC@10V
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输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.92nC@10V
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连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：0.92nC@10V
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：0.92nC@10V
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连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
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输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
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栅极电荷：0.6nC@10V
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输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
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功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
栅极电荷：0.92nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：720mA
输入电容：28pF@30V
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
栅极电荷：0.92nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：720mA
输入电容：28pF@30V
功率：420mW€4.2W
ECCN：EAR99
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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