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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
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功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@5V
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连续漏极电流：150mA
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栅极电荷：350pC@5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
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生产批次：2237
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规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
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阈值电压：2.1V@250μA
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栅极电荷：350pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：2237
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
输入电容：36pF@25V
包装方式：卷带（TR）
功率：260mW€830mW
漏源电压：50V
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
连续漏极电流：150mA
栅极电荷：350pC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：2237
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输入电容：36pF@25V
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功率：260mW€830mW
漏源电压：50V
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
连续漏极电流：150mA
栅极电荷：350pC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.1V@250μA
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类型：1个P沟道
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功率：350mW€1.14W
输入电容：36pF@25V
栅极电荷：350pC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
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