品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.8nC@5V
输入电容:716pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:146mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.72nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.72nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.085nF@25V
连续漏极电流:56A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.085nF@25V
连续漏极电流:56A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:633pF@25V
阈值电压:3V@1mA
反向传输电容:61pF@25V
漏源电压:100V
功率:79W
导通电阻:80mΩ@10V,9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:34.3nC@10V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4V@1mA
功率:152W
输入电容:2.258nF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
输入电容:5.085nF@25V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:56A
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39nC@5V
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
导通电阻:18mΩ@10V,15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: