首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    NXP
    行业应用
    集电极电流(Ic)
    功率
    晶体管类型
    集电集截止电流(Icbo)
    品牌: NXP
    行业应用: 其它
    集电极电流(Ic): 100mA
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    NXP 数字晶体管 PDTA124XE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA124XE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":25120}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订4488个装
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订4488个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":53500}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":53500}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA144TE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTA144TE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订10684个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订10684个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA113ZE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA113ZE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":24000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC123YE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC123YE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"11+":34500,"9999":599}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA114EK,115 起订10684个装
    NXP 数字晶体管 PDTA114EK,115 起订10684个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"03+":30000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144TE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144TE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":6000,"09+":200,"10+":966666,"15+":6000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144WE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144WE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":12200,"11+":3000,"13+":23530,"14+":9000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":27208}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144TE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144TE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订10684个装
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订10684个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123YE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123YE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC124EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC124EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA143EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA143EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":17321,"12+":1518}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC124EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC124EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":12000,"12+":7642,"15+":120800}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123TE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123TE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订4488个装
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订4488个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"09+":53500}

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    输入电阻:10kΩ

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA124EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA124EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":1500,"10+":71010,"13+":54948}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA114EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA114EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"07+":582000,"11+":6000,"12+":45000,"13+":297000,"14+":365649,"15+":1000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTC114EK,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"09+":53500}

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    输入电阻:10kΩ

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144VE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V

    输入电阻:47kΩ

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144EE,135 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144EE,135 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":9800,"11+":10000,"15+":5889}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTC144EE,135 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTC144EE,135 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    输入电阻:2.2kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧