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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
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包装方式:卷带(TR)
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":53500}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
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直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":53500}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
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库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
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输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
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库存:
生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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ECCN:EAR99
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功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":30000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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ECCN:EAR99
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功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":24000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":34500,"9999":599}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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ECCN:EAR99
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输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"06+":6000,"09+":200,"10+":966666,"15+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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ECCN:EAR99
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输入电阻:47kΩ
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功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":12200,"11+":3000,"13+":23530,"14+":9000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":27208}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":200,"12+":15275,"13+":204000,"9999":2500}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:100kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:100kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":17321,"12+":1518}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":12000,"12+":7642,"15+":120800}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":27000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"06+":3000,"10+":18000,"12+":17750,"14+":6000,"15+":12000,"9999":1926}
集电集截止电流(Icbo):1µA
功率:150mW
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"10+":30000}
销售单位:个
集电集截止电流(Icbo):1µA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: