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    漏源电压
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    连续漏极电流
    品牌: NXP
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 2.5V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:10+
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    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2000,"15+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:545mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMF87EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMF87EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":103313}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF87EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:275mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:545mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5342个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5342个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":500,"12+":6000,"13+":181051,"14+":9112}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN35EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:334pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订3206个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订3206个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2000,"15+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:545mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMF87EN,115 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMF87EN,115 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":103313}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF87EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:275mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订3206个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN20EN,115 起订3206个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:545mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5342个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5342个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN35EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:334pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN35EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":500,"12+":6000,"13+":181051,"14+":9112}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN35EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:334pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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