品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2000,"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN20EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:545mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMN20EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:545mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NXP
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规格型号(MPN):PMN20EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:545mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.7A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):PMN20EN,115
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功率:545mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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