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    连续漏极电流
    品牌: NXP
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 10nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:10+
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    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":25828}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订4579个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订4579个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订4579个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订4579个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":16000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":16000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订4579个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订4579个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订4579个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订4579个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":25828}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:800mW€8.3W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN017-30LL,115 起订1527个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN017-30LL,115 起订1527个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1077,"9999":232}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-30LL,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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