销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：500nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集电极电流(Ic)：4A

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

功率：1.75W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

功率：800mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：1A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

特征频率：150MHz

集电集截止电流(Icbo)：10nA

晶体管类型：NPN

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

功率：1W

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD112T4G

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

特征频率：150MHz

集电集截止电流(Icbo)：10nA

晶体管类型：NPN

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

功率：1W

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集电极电流(Ic)：1.2A

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD112T4G

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSP52T1G

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

功率：800mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：1A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

晶体管类型：NPN

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

工作温度：65℃~175℃

集射极击穿电压(Vceo)：350V

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

集电极电流(Ic)：10A

ECCN：EAR99

特征频率：2MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA14LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD44E3T4G

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

功率：1.75W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

集电极电流(Ic)：10A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA29

特征频率：125MHz

集电集截止电流(Icbo)：50nA

晶体管类型：NPN

集电极电流(Ic)：800mA

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集电极电流(Ic)：1.2A

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集电集截止电流(Icbo)：50µA

集电极电流(Ic)：4A

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

功率：45W

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

集射极击穿电压(Vceo)：350V

特征频率：90MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：500nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

集射极击穿电压(Vceo)：100V

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

工作温度：65℃~150℃

集电集截止电流(Icbo)：10µA

功率：800mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：1A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

晶体管类型：NPN

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

集电极电流(Ic)：1.5A

集电集截止电流(Icbo)：200nA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

特征频率：200MHz

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1