品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TIP121G
集电极电流(Ic):5A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
集电集截止电流(Icbo):500µA
功率:2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD6039T4G
集电极电流(Ic):4A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):500@2A,4V
功率:1.75W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@8mA,2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP52T1G
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD112T4G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
集射极击穿电压(Vceo):100V
功率:20W
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVMJD112T4G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
集射极击穿电压(Vceo):100V
功率:20W
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4G
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
功率:1.75W
集电极电流(Ic):8A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
特征频率:4MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):MJD112-1G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
功率:1.75W
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):MJF122G
集电极电流(Ic):5A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3.5V@20mA,5A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集电集截止电流(Icbo):10µA
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,3V
功率:2W
集射极击穿电压(Vceo):100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):MJE270G
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):1mA
集射极击穿电压(Vceo):100V
特征频率:6MHz
功率:1.5W
集电极电流(Ic):2A
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):MJF122G
集电极电流(Ic):5A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3.5V@20mA,5A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集电集截止电流(Icbo):10µA
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,3V
功率:2W
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVMJD112T4G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
集射极击穿电压(Vceo):100V
功率:20W
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):MJF122G
集电极电流(Ic):5A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3.5V@20mA,5A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集电集截止电流(Icbo):10µA
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,3V
功率:2W
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6043G
集射极击穿电压(Vceo):60V
功率:75W
集电极电流(Ic):8A
集电集截止电流(Icbo):20µA
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@16mA,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD112T4G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
集射极击穿电压(Vceo):100V
功率:20W
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):MJD112G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
功率:1.75W
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSP52T1G
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):MJD112G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
功率:1.75W
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):MJD112G
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
功率:1.75W
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJD35N04T4G
集电集截止电流(Icbo):50µA
集电极电流(Ic):4A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
功率:45W
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
集射极击穿电压(Vceo):350V
特征频率:90MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVMJD122T4G
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
功率:1.75W
集电极电流(Ic):8A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
特征频率:4MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4G
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
包装方式:卷带(TR)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
功率:1.75W
集电极电流(Ic):8A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
集射极击穿电压(Vceo):100V
特征频率:4MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP52T3G
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TIP120G
集电极电流(Ic):5A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
集电集截止电流(Icbo):500µA
集射极击穿电压(Vceo):60V
功率:2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):BDX53BG
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
集电极电流(Ic):8A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):BDX33CG
功率:70W
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集电集截止电流(Icbo):500µA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@6mA,3A
集电极电流(Ic):10A
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):2N6388G
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集电集截止电流(Icbo):1mA
功率:2W
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,3V
集电极电流(Ic):10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TIP120G
集电极电流(Ic):5A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
集电集截止电流(Icbo):500µA
集射极击穿电压(Vceo):60V
功率:2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSP52T1G
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo):10µA
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH11022G
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
集射极击穿电压(Vceo):250V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@150mA,15A
集电极电流(Ic):15A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):1mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):400@10A,5V
特征频率:3MHz
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVNJD35N04T4G
集电集截止电流(Icbo):50µA
集电极电流(Ic):4A
晶体管类型:NPN
工作温度:65℃~150℃
功率:45W
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
集射极击穿电压(Vceo):350V
特征频率:90MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: