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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
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规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMA86551L
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功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：FDMA86551L
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功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDMA86551L
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类型：N沟道
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功率：2.4W
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功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：785pF@20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
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销售单位：个
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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