品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1256}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@20V
连续漏极电流:6.7A€14A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: