采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
栅极电荷：8.2nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：3.6A
输入电容：250pF@25V
功率：2.5W€25W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：750pF@25V
类型：P-Channel
阈值电压：4V@250µA
功率：55W
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：180mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP27P06
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
功率：120W
输入电容：1400pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
连续漏极电流：27A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
连续漏极电流：6.6A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：470pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
连续漏极电流：6.6A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：470pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86262P
栅极电荷：13nC@10V
连续漏极电流：2A€8.4A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@75V
功率：2.3W€40W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：307mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
功率：3W
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP27P06
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
功率：120W
输入电容：1400pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
连续漏极电流：27A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
包装方式：卷带（TR）
功率：2.3W€40W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.7A€9A
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
输入电容：1360pF@75V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：150V
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
输入电容：1130pF@75V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP47P06
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3600pF@25V
功率：160W
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP27P06
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
功率：120W
输入电容：1400pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
连续漏极电流：6.6A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：470pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：750pF@25V
阈值电压：4V@250µA
功率：55W
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：180mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF47P06
栅极电荷：110nC@10V
功率：62W
输入电容：3600pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@15A，10V
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
功率：2.5W€104W
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：4890，"22+"：1340，"23+"：6020，"MI+"：10080}
规格型号(MPN)：FQU8P10TU
连续漏极电流：6.6A
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：470pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
功率：3W
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：16500，"22+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU8P10TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
