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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:62.2A€477A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.68mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26.7pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD5110NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:294mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CLTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CLTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:62.2A€477A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.68mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2150

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5124PLT1G 起订327个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5124PLT1G 起订327个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5124PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:230mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:327
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:36
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002LT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:146
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270-D74Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270-D74Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":676}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF30N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1040pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:577
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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