品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
功率:2.4W€25W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:12A€20A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
功率:2.4W€25W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:12A€20A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08C
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@16A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:1500pF@40V
连续漏极电流:11A€51A
功率:2.4W€52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86102LZ
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€22A
导通电阻:25mΩ@7A,10V
输入电容:1305pF@50V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7630
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"24+":32300}
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7694
输入电容:1410pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W€27W
连续漏极电流:13.2A€20A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:9.5mΩ@13.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:455pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86102LZ
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€22A
导通电阻:25mΩ@7A,10V
输入电容:1305pF@50V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7630
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@15V
连续漏极电流:12A€20A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@15V
连续漏极电流:12A€20A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:9A€43A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@15V
连续漏极电流:12A€20A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:9A€43A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@40V
连续漏极电流:11A€51A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:9A€43A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: