采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF11N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@13V
连续漏极电流：28A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@13V
连续漏极电流：28A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@13V
连续漏极电流：28A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF11N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF11N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF11N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF11N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
