品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2V@140µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:20A€110A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:2900pF@40V
ECCN:EAR99
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: