品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":46,"23+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL067N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.75nF@400V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,20A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":204,"07+":34200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":40625}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL067N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.75nF@400V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,20A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTDV5805NT4G
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: