采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"19+"：1000}
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"19+"：1000}
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：860}
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：860}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：489psc
规格型号(MPN)：FQPF19N10
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
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栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
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栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"19+"：1000}
包装规格(MPQ)：489psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
