品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":7500,"10+":1328,"13+":16292}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD3P102R2SG
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":29629,"13+":93000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8320-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: