采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86300DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7005pF@40V
连续漏极电流：24A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@24A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
