品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:21.9W
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU3N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU3N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:21.9W
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":18916,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8884
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:685pF@15V
连续漏极电流:9A€15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":8561}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-160T1
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":18916,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8884
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:685pF@15V
连续漏极电流:9A€15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":8561}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-160T1
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3N60CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: