品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP26N40
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
功率:265W
连续漏极电流:26A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP22N30
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86103L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A€49A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
输入电容:3710pF@50V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF260N65FL1
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
类型:N沟道
功率:36W
漏源电压:650V
输入电容:2340pF@100V
包装方式:管件
连续漏极电流:15A
阈值电压:5V@1.5mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP26N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:143W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4338}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFSS1D1N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€89W
阈值电压:2V@934µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@13V
连续漏极电流:39A€264A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86103L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3710pF@50V
连续漏极电流:12A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14349,"22+":211,"MI+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14349,"22+":211,"MI+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86103L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3710pF@50V
连续漏极电流:12A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: