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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    包装方式: 散装
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    onsemi IGBT FGD3040G2-F085D 起订175个装
    onsemi IGBT FGD3040G2-F085D 起订175个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":14460,"MI+":2500}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGD3040G2-F085D

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF7N02ZR2 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF7N02ZR2 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":709,"02+":1192,"03+":1563}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMDF7N02ZR2

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3415-TL-E 起订1268个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3415-TL-E 起订1268个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3415-TL-E

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT MGW14N60ED 起订265个装
    onsemi IGBT MGW14N60ED 起订265个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"98+":639,"MI+":464}

    包装规格(MPQ):221psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGW14N60ED

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订5031个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订5031个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":59743,"23+":1275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}

    包装规格(MPQ):233psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€26W€2.3W€42W

    阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V

    连续漏极电流:19A€70A€37A€164A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订342个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订342个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4947}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:9821pF@15V

    连续漏极电流:23A€246A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}

    包装规格(MPQ):376psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGD8205ANT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A

    关断延迟时间:5μs

    集电极截止电流(Ices):390V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订5000个装
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJE703G

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订452个装
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订452个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}

    包装规格(MPQ):376psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGD8205ANT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A

    关断延迟时间:5μs

    集电极截止电流(Ices):390V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4947}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:9821pF@15V

    连续漏极电流:23A€246A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD682G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJE703G

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订12个装
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):KSP13BU

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTB55N06ZT4 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB55N06ZT4 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"00+":11200}

    包装规格(MPQ):329psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB55N06ZT4

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4099LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@30V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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