品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
输入电容:960pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
漏源电压:35V
导通电阻:17mΩ@5A,10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1000}
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.3V@1mA
功率:1.3W
漏源电压:24V
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6692A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@9A,10V
连续漏极电流:9A
功率:1.47W
输入电容:1610pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6351-TL-W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20.5nC@4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
输入电容:2200pF@6V
导通电阻:16.9mΩ@4.5A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8655R-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1000}
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.3V@1mA
功率:1.3W
漏源电压:24V
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":472}
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":4645}
规格型号(MPN):FDS8882
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:20mΩ@9A,10V
输入电容:940pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4645}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存: