首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}

    规格型号(MPN):ECH8419-TL-H

    输入电容:960pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@1mA

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    漏源电压:35V

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G

    输入电容:1252pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    功率:760mW€25.5W

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2418R-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2418R-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":1000}

    规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:1.3V@1mA

    功率:1.3W

    漏源电压:24V

    导通电阻:15mΩ@4A,4.5V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6692A 起订701个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6692A 起订701个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6692A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:9A

    功率:1.47W

    输入电容:1610pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订499个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订499个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.4nF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订999个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订999个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.4nF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G

    输入电容:1252pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    功率:760mW€25.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6351-TL-W 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6351-TL-W 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6351-TL-W

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20.5nC@4.5V

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    输入电容:2200pF@6V

    导通电阻:16.9mΩ@4.5A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G

    输入电容:1252pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    功率:760mW€25.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8655R-TL-H 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8655R-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8655R-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2418R-TL-H 起订895个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2418R-TL-H 起订895个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":1000}

    规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:1.3V@1mA

    功率:1.3W

    漏源电压:24V

    导通电阻:15mΩ@4A,4.5V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订462个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订462个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":472}

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":4645}

    规格型号(MPN):FDS8882

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.5W

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    输入电容:940pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@4.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-150T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-150T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-150T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4645}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:993
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8419-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1145
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧