品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":79}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":79}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: