品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDFP03N150CG
工作温度:150℃
功率:2W€32W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"23+":29850,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIG056BF-1E
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:140ns
开启延迟时间:46ns
集电极截止电流(Ices):430V
集电极电流(Ic):5V@15V,240A
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30,"22+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDUL09N150CG
工作温度:150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2025pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":46,"23+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP121TU
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD560RTSTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30,"23+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":17301}
销售单位:个
规格型号(MPN):KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"18+":1884,"21+":974}
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP121TU
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":26750,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB10N60FG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):72A
关断延迟时间:145ns
反向恢复时间:70ns
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:55nC
集电极电流(Ic):1.7V@15V,10A
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":3407,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP120TU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):5A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP121TU
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: