采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：21psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH40T120L3Q1SG
包装方式：托盘
工作温度：-40℃ ~ 75℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH400N100H4Q2F2PG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：26.093nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1000V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：240}
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH160T120L2Q2F2SG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：36psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH800A100L4Q2F2S1G
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：49.7nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1000V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH800A100L4Q2F2S2G
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：49.7nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1000V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH400N100H4Q2F2SG
包装方式：托盘
输入电容：26.093nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1000V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：28}
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：24psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH100B120H3Q0SG
包装方式：托盘
输入电容：9.075nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：550}
包装规格(MPQ)：24psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH100B120H3Q0SG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：9.075nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：1112，"MI+"：144}
包装规格(MPQ)：8psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH600A100H4F5SNG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：1112，"MI+"：144}
包装规格(MPQ)：8psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH600A100H4F5SNG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：240}
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH160T120L2Q2F2SG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：80589}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：24psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH100B120H3Q0PG
包装方式：托盘
输入电容：9.075nF@20V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：240}
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH160T120L2Q2F2SG
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：10092}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4222
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4221
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJ11016G
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：30A
功率：200W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJ11016G
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：30A
功率：200W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
