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包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：10A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：2MHz
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V
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规格型号(MPN)：MJD44E3T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：10A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A
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晶体管类型：NPN
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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行业应用：汽车,工业
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行业应用：汽车,工业
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行业应用：汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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规格型号(MPN)：BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：10A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：2MHz
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：10A
功率：1.75W
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：10A
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规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：10A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V
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行业应用：汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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