品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1032CZ
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.7A€3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:441pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6312P
导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
输入电容:467pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1023PZ
输入电容:655pF@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6312P
导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
输入电容:467pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1329pF@16V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":227845,"21+":291000,"MI+":12500}
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: