采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP26N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：265W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3185pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4000，"18+"：7000，"22+"：720，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：609}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP15N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@9.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：5040，"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N40TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@1.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP26N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：265W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3185pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N40TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@1.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
