采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76429S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76407D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9958
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
