品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":4000,"17+":1208,"9999":84}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4094-1E
工作温度:150℃
功率:1.75W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: