品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP304-TL-H
工作温度:150℃
功率:90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: