品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:32.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2383pF@30V
连续漏极电流:16A€103A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2383pF@30V
连续漏极电流:16A€103A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D74Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:1.25A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:35A€224A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2383pF@30V
连续漏极电流:16A€103A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@30V
连续漏极电流:9A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: