品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
导通电阻:9mΩ@10V,35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:1.26nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1.6W
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2573,"21+":974,"22+":8117,"23+":21000,"MI+":5270}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:76nC@10V
功率:3W€78W
连续漏极电流:30A€40A
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:5.17nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1.6W
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:76nC@10V
功率:3W€78W
连续漏极电流:30A€40A
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:5.17nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT457N
输入电容:235pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
阈值电压:3V@250μA
功率:3W
栅极电荷:5.9nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
导通电阻:9mΩ@10V,35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:1.26nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
功率:2.4W
栅极电荷:11nC@4.5V
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
导通电阻:35mΩ@10V,5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:350pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:22+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:570pF@15V
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:3W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:3W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8018
功率:83W
导通电阻:1.8mΩ@10V,30A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:175A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692
连续漏极电流:13.3A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8.5mΩ@10V,13.3A
类型:1个N沟道
功率:2.3W
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8018
功率:83W
导通电阻:1.8mΩ@10V,30A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:175A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: