采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3366pF@15V
连续漏极电流：11A€67A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.1W€31W
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
输入电容：1230pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1460pF@15V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@280µA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：12300pF@15V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：59A€409A
功率：4W€187W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
功率：2.4W€25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：12A€20A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：830mW
栅极电荷：15nC@4.5V
连续漏极电流：6.4A
输入电容：950pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：1.6A
输入电容：140pF@5V
功率：420mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
功率：760mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：22.2nC@10V
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D15N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@15V
漏源电压：30V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@160µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：94nC@10V
连续漏极电流：43A€245A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
功率：3.8W€124W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：127500}
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
功率：1.28W€50W
连续漏极电流：9A€54A
导通电阻：10mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1225pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：235pF@10V
阈值电压：2V@250µA
功率：500mW
栅极电荷：5.9nC@5V
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：3908，"09+"：10547}
规格型号(MPN)：NTD4813NH-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
输入电容：940pF@12V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8820
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：28A€116A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：5315pF@15V
栅极电荷：88nC@10V
导通电阻：2mΩ@28A，10V
功率：2.5W€78W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
输入电容：1972pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.9A€78A
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7656AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
功率：2.5W€96W
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
栅极电荷：133nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C03NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：45.2nC@10V
连续漏极电流：30A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：3.1W€64W
ECCN：EAR99
输入电容：3071pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：10.5A€16A
功率：2.3W€18W
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：6000}
规格型号(MPN)：EMH1405-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：19mΩ@4A，10V
功率：1.5W
类型：N沟道
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：8.5A
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1460pF@15V
功率：1.6W
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：4170，"09+"：9000，"10+"：2523，"11+"：28490，"14+"：4450，"15+"：1500}
规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：53nC@11.5V
连续漏极电流：12.7A€100A
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
功率：890mW€55.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
输入电容：1988pF@15V
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：3.2W€68W
连续漏极电流：22A€102A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4840NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW€27.8W
类型：N沟道
输入电容：580pF@15V
导通电阻：24mΩ@20A，10V
栅极电荷：10.8nC@10V
连续漏极电流：4.6A€26A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：16159}
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
功率：780mW
栅极电荷：18.3nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：5725pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
功率：3.3W€89W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：2.2A
输入电容：300pF@10V
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
输入电容：1376pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：7.8A
导通电阻：9mΩ@12A，10V
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：890mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
