品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):FDMS8680
栅极电荷:26nC
漏源电压:30V
包装方式:Reel
阈值电压:1V
导通电阻:8.5mΩ
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:23+
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2115
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9400A
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:130mΩ@1A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@5V
功率:2.5W
输入电容:205pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680A
栅极电荷:23nC@5V
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}
规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
栅极电荷:75.8nC@6V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
输入电容:1680pF@24V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: