首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    输入电容:897pF@15V

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    栅极电荷:124nC@10V

    功率:2.5W

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    连续漏极电流:8.5A

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    输入电容:635pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):3000psc

    规格型号(MPN):FDMS8680

    栅极电荷:26nC

    漏源电压:30V

    包装方式:Reel

    阈值电压:1V

    导通电阻:8.5mΩ

    连续漏极电流:14A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    栅极电荷:124nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    输入电容:897pF@15V

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:30nC@5V

    输入电容:2220pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:13A

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:30nC@5V

    输入电容:2220pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:13A

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    连续漏极电流:8.5A

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    输入电容:635pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:23+

    规格型号(MPN):FDS9435A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:5.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:528pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2525pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:5.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:528pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2525pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    栅极电荷:67nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2115

    规格型号(MPN):FDS6670A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:30nC@5V

    输入电容:2220pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:13A

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:5.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:528pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8690 起订497个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8690 起订497个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8690

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@14A,10V

    输入电容:1680pF@15V

    连续漏极电流:14A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订1034个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订1034个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:30nC@5V

    输入电容:2220pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:13A

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    栅极电荷:16nC@5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:2.5W

    连续漏极电流:11A

    输入电容:1.205nF@15V

    导通电阻:12.5mΩ@10V,11A

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:5.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:528pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订1216个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订1216个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2525pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    栅极电荷:67nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9400A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9400A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9400A

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:130mΩ@1A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.5nC@5V

    功率:2.5W

    输入电容:205pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6680A

    栅极电荷:23nC@5V

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMSF7P03HDR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMSF7P03HDR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}

    规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:35mΩ@5.3A,10V

    栅极电荷:75.8nC@6V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    输入电容:1680pF@24V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":848,"22+":2375}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8876

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1650pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧