品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1.6W
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1.6W
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
导通电阻:35mΩ@10V,5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:350pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:22+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:570pF@15V
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.1nC@5V
类型:P沟道
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:50mΩ@4A,10V
输入电容:470pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:23mΩ@7A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":339000,"16+":3684}
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
输入电容:172pF@10V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.1nC@5V
类型:P沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:50mΩ@4A,10V
输入电容:470pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: