首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    行业应用
    漏源电压
    反向传输电容
    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:360nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14365pF@100V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4125 起订31个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4125 起订31个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":446}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4125

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€170W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:274pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:347nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10900pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF03N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":10471}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH070N60E 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH070N60E 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH070N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:481W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:166nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4925pF@380V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP380N60 起订243个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP380N60 起订243个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP380N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1665pF@25V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧