品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":960,"21+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: